SiC Schottky Diodes
Dane techniczne
| Opis produktu |
|---|
| United Silicon Carbide, Inc. SiC Schottky diodes. With zero reverse recovery charge and 175 °C maximum junction temperature. USCi’s diodes are ideally suited for high frequency and high efficiency power systems with minimum cooling requirements |
22 art.
| Numer artykułu | Wprowadź ilość | Dostępność | Delivery date | Łączna cena | Operacje |
|---|
