SiC Schottky Diodes
Technische Daten
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| United Silicon Carbide, Inc. SiC Schottky diodes. With zero reverse recovery charge and 175 °C maximum junction temperature. USCi’s diodes are ideally suited for high frequency and high efficiency power systems with minimum cooling requirements |
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| Artikel-Nr. | Menge eingeben | Verfügbarkeit | Lieferdatum | Gesamtpreis | Aktionen |
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